Declaración de privacidade: a súa privacidade é moi importante para nós. A nosa empresa promete non divulgar a súa información persoal a ningunha expansión con os seus permisos explícitos.
Empaquetado: Caixa de cartón
Produtividade: 1000000000 pcs/week
Transporte: Ocean,Land,Air
Lugar de orixe: China
Capacidade de subministración: 7000000000 pcs/week
Certificado: GB/T19001-2008/ISO9001:2008
Código HS: 8541401000
Porto: SHENZHEN
Tipo de pagamento: T/T,Paypal,Western Union
Incoterm: FOB,EXW,FCA
Modelo núm.: 1206PT850D &1206IRC-85L
Marca: Mellor LED
Unidades de venda: | Piece/Pieces |
---|---|
Tipo de paquete: | Caixa de cartón |
1206PT850D e 1206IRC-85L
Hai dous tipos de LED por riba, o branco é o emisor de infravermellos de 850nm e o negro é o receptor IR de 850nm tipo de vista superior LED que tamén se pode denominar como diodo fotográfico de 850nm. No circuíto, o emisor LED de 850 nm emite o sinal e entón o receptor IR recibirao. Normalmente, o receptor de IR irase empaquetado como lente negra para filtrar a luz extra, o que pode asegurarnos de que poida obter o sinal que precisamos. Para o receptor de IR, tamén hai outra forma para escoller, como a parte superior redonda de 3 mm, a parte superior redonda de 5 mm, ect tipo 3528 SMD LED.
- Size: 2.0*1.25*0.8mm - Chip Number: 1 chip - Color: 850nm LED - Type: Surface mount device - Chip brand: Epistar |
- Polarity Mark - Different color are available - Different wavelength are available
- Warranty: 5 Years
- RoHS, REACH, EN62471 |
- Uniform light output - Long life-solid state reliability
- Low Power consumption
-Anti UV epoxy resin package -High temperature resistance |
-Parámetros dedimensión-
Estas caixas LED SMD tamén están dispoñibles para LED IR, LED UV, LED SMD azul, LED SMD vermello, LED ámbar ect.
* As cores da foto tomáronse coa cámara. Toma a cor que emite de serie.
- Parámetros eléctricos -
Valoracións máximas absolutas en Ta = 25 ℃
Parameter |
Symbol |
Rating |
Power Dissipation |
Pd |
50mW |
Pulse Forward Current |
IFP |
100mA |
Forward Current |
IF |
30mA |
Reverse Voltage |
VR |
5V |
Junction Temperature |
Tj |
115°C |
Operating Tempertature |
Topr |
-40 - +80°C |
Storage Tempertature |
Tstg |
-40 - +100°C |
Soldering Temperature |
Tsol |
260°C |
Electro-Static-Discharge(HBM) |
ESD |
2000v |
Warranty |
Time |
2Years |
Antistatic bag |
Piece |
3000Back |
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us. |
||
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C |
Características ópticas e eléctricas ( T c = 25 ℃ )
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
Forward Voltage |
VF |
1.3 |
|
1.6 |
V |
IF=30mA |
Pulse Forward Voltage |
VF |
|
2.0 |
|
V |
IFP=100mA |
Radiant Intensity |
IE |
2.3 |
|
4.8 |
mw/sr |
IF=30mA |
Peak Wavelength |
λP |
845 |
850 |
858 |
nm |
IF=30mA |
Total Radiated Power |
PO |
|
3.2 |
|
mw |
IF=30mA |
Half Width |
Dl |
|
50 |
|
nm |
IF=30mA |
Viewing Half Angle |
2q1/2 |
|
±70 |
|
deg |
IF=30mA |
Reverse Current |
IR |
|
|
5 |
uA |
VR=5V |
Rise Time |
Tr |
|
25 |
|
ns |
IF=30mA |
Fall Time |
Tf |
|
13 |
|
ns |
IF=30mA |
*Luminous Intensity is measured by ZWL600. |
||||||
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity. |
||||||
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device. |
Receptor 1206 smd
Parameter |
Symbol |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Test Condition |
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
|
|
30 | V |
|
Emitter-Collector Voltage |
VECO |
|
|
5 | V |
|
Collector Dark Current |
ICEO |
|
|
30 |
nA |
VCE=20V Ee=0mw/cm2 |
Collector Dark Current |
ICEO |
|
|
150 | uA |
VCE=70V Ee=0mw/cm2 |
On State Collector Current |
IC(on) |
|
0.7 |
4
|
mA |
Ee=1mw/cm2 Vce=5v |
Collector-Emitter Breakdown Voltage |
Bvceo |
85 |
|
|
V |
ICBO=100uA Ee=0mw/cm2 |
Emitter-Collector Breakdown Voltage |
Bvceo |
8.2 |
|
V |
IECO=10uA |
|
Collector-Emitter Saturation Voltage |
VCE(sat) |
|
|
0.3
|
V |
IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2 |
Photocurrent 1 |
IPCE |
300
|
|
400
|
uA |
Vce=5V Ee=1mw/cm2
λP=850nm |
Photocurrent 2 |
IPCE | 500 |
|
600 | uA |
VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm |
Current gain |
hFE |
200
|
|
3000
|
uA |
VCE=5V IC=2mA |
Wavelenghth of Peak Sensitivity |
λP |
|
850
|
|
nm |
|
Range of Spectral Bandwidth |
λ0.5 |
700
|
|
1100
|
nm |
|
Response Time-Rise Time |
tR |
|
15 |
|
us |
Vce=5v Ic=1mA
RL=1000Ω |
Response Time-Fall Time |
tF |
|
15 |
|
us | |
Half Sensitivity angle |
△λ |
|
±10 |
|
deg |
|
Collector-base Capacitance |
CCB |
|
|
8 | PF | F=1MHz,VCB=3V |
- Conexión Golden Wire -
- Embalaxe -
* Envasámolo con envasado ao baleiro despois de gravalo como bobina
- Solicitude -
- LED relacionado -
- Produción -
- Usar -
Tel: 86-0755-89752405
Teléfono móbil: +8615815584344
Correo electrónico: amywu@byt-light.comEnderezo: Building No. 1 Lane 1 Liuwu Nanlian The Fifth Industry Area , Longgang, Shenzhen, Guangdong China
Sitio web: https://gl.bestsmd.com
Declaración de privacidade: a súa privacidade é moi importante para nós. A nosa empresa promete non divulgar a súa información persoal a ningunha expansión con os seus permisos explícitos.
Encha máis información para que poida poñerse en contacto contigo máis rápido
Declaración de privacidade: a súa privacidade é moi importante para nós. A nosa empresa promete non divulgar a súa información persoal a ningunha expansión con os seus permisos explícitos.